Naxin Micro正式推出了NSI6602MXEX系列的一系列半桥驾驶员芯片的汽车级分离。基于NSI6602 NSI602产品，该系列包括米勒夹具，并且还具有高电压分离属性，低潜伏期，死区匹配和欠压阈值选择。它适用于驾驶SIC，IGBT和其他设备，可以广泛用于OBC，DC/DC，主动悬架和其他情况中。 NSI6602MXEX和NSI6602功能框图的比较5A Miller Clamp功能有助于半键型电路安全可靠。在实际应用中，OBC/DCDC，工业电源和电动机驱动器等桥梁电路的电气设备容易受到串扰行为的影响。尤其是在第三代电源设备（例如SIC和GAN）的应用中，门阈值的电压和最大值承受负电压都在降低，因此电压缘到ASPRESS寄生虫传导继续减少。当使用传统的半轴驾驶员的传统芯片时，为了防止米勒的撞击造成的桥臂，通常需要驱动电路。但是，在许多情况下，即使是驾驶参数，正供应电压和负供应电压，并且PCB寄生虫应进行优化，也很难同时控制边缘安全性内的正和负串扰。它不仅限制了硅杆等设备的性能，而且还可以带来潜在的安全风险。在转移过程中，Miller效应的原理Nanxin Micro推出了NSI6系列602MXEX，其中包括5A Miller的夹紧功能，用于两个半桥驾驶电路，这可以为Miller电流提供最小的排放路径，并有效地抑制了串扰电压。 NSI6602MXEX完全根据NSI6602武装，以保护设备的安全应用例如sic。 NSI6602MXXEX Miller夹具的应用共享表明，由于DV/DT的较高特性，使用SIC功率设备时，该门经常遇到正面和负串扰电压（VSWing）幅度超过栅极开口（VGSTH）和负电压极限（VGS_MIN）。此串扰很容易导致设备或设备的损坏，这是高性能驾驶员设计的主要挑战。传统的驱动溶液在上图中的SIC设备的栅极串扰中显示。尽管这些传统方法是“理论上的”，并且在高频和高压SIC应用下同时实现低损失和保证金安全的双重目标仍然很难。下图显示了比较与NSI6602MXEX和传统无磨夹夹芯片配对的SIC设备的测试结果。在驾驶参数和布局条件下，NSI6602MXEX可以显着抑制P敏化和负面vswing。转动适当的负压后，可以使用安全范围防止栅极串扰。将不同设备的串扰摇摆VSW与波浪进行了比较。对于某些具有出色CISS/CISS -COAT -COAT的设备，NSI6602MXEXE也可以实现串扰，即使没有负电压，也可以实现beconollloll，从而大大降低了系统设计的复杂性。连接的测试电路和上管的关闭时间下管测试波形NSI6602MXEX测试电路，在打开上管±10A输出电流时，下管测试波形有助于外围电路简化设计。 NSI6602MXEX提供过多的驾驶能力，最多可以输出10A拉动链电流，并支持铁路的输出。如果它是直接在并行应用中直接驱动更大的门电荷（QG）或多管的动力管，则NSI6602MXEXE可以实现出色的驾驶，而无需进一步的缓冲和有效Ely简化了外围电路的设计。另外，32V的最大工作电压和35V的最大抗螺达电压可以应付增加的EOS效应。它配备了空调的外围设计，可极大地提高整个电路系统的可靠性。可编程的死区和多阶段欠压阈值有助于设计柔性调节NSI6602MXEX通过DT引脚进行死区调整，并且可以通过维修下拉电阻器来配置不同小时的死区。另外，DT引脚可以直接连接到两个驱动器的平行输出的主VCC。它与两个可选的配对，以使DIS/EN逻辑为终端应用提供丰富的控制逻辑；此外，第二次电压UVLO的电源供应有三个选项：8V，12V和17V，适用于IGBT和SIC应用程序中的电力设计情况下的电压欠压保护。 NSI6602MXEX PR起源特征：●5700VRMS单独的电压，高电压和IGBT●高CMTI：150 kV/μs●输入侧供应电压：3V〜18V●峰值侧面电源电压●峰值侧面电压●峰值侧面电压电压：最多32V范围：最多32V●轨道端口输出●峰值供应●峰值供应量：峰值电源不足：8V/17V/17V/17V/17V/17V 12V/17V/17V•向前和反向逻辑启用配置●常见的繁殖应用程序电路和包装NSI66602MXEX的常见选择可在六个型号中使用，富含武器逻辑和驱动程序功率规格，并且可以灵活地适应不同的应用程序场景。
