ROHM ROHM:硅碳化物MOSFET BARE CHIP获得Toyota BZ5电动汽

Home 7月-7 -7 -7th,日本半导体ROHM ROHM制造商指出了6月24日的新闻稿,使用4代Rohm Rohm Generation SiC SiC Mosfet Bare Chip用于新的跨界Toyota Toyota Motor Wearter车辆逆变器BZ5 BZ5的牵引力,用于中国标记的BZ5 Maker。 BZ5牵引逆变器配备了质量制造的电源模块,并由上海Heimsko Semiconductor Co,Ltd提供,这是ROM和中国合作伙伴Zhenghai集团之间的合并合资企业。 ROM功率解决方案包括SIC MOSFET,因为核心为汽车范围和性能提供了重要的保证。这款SUV的低版本可以具有550公里的电池寿命,而高端版本的电池寿命为630公里。该型号采用了前轮驱动设计,具有200kW的最大功率,目前相互交付。 ROM目前正在加快研究和开发SIC功率组件的过程,并计划完成const今年的下一代生产线(即第五代)MOSFET的重新制定,并提前为第六和第七代产品制定市场发布计划。

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